Samsungが第二世代の10nmクラスのDRAMの量産を開始したと発表

SamsungのDRAMがグレードアップ、DDR4-3600が可能に

Samsungは第2世代の10nmクラスのDRAMの量産を開始したと発表しました。8Gb(1GB)のチップで最大でビットレート3,600Mbpsが可能となるようです。前の世代の8Gbチップが3,200Mbpsまでだったのと比べると、12.5%性能が改善していることになります。エネルギー効率は15%程度改善し、生産性は30%改善したようです。10nmクラスは、1xnm、10nmから19nmのプロセスという意味とのことです。

2つの新技術

新しいDRAMは高感度セル・データ・センシング・システムとプログレッシブ “エアスペーサ”方式という革新的な技術によって成り立っているようです。

サムスンの第2世代10nm級DRAMのセルでは、新しく考案されたデータ・センシング・システムにより、各セルに格納されたデータをより正確に判定することができ、回路集積度と製造生産性が大幅に向上します。

また、寄生容量を劇的に減少させるためにビットラインの周りに配置された独自のエアスペーサを使用しています。エアスペーサーを使用することにより、より高レベルなスケーリングだけでなく、迅速なセル操作も可能になります。

DDR4の需要に応える

現在DDR4メモリ・モジュールは高騰しています。Samsungの第二世代DRAMはDDR4メモリ・モジュールへの旺盛な需要に応えることが出来るのでしょうか。Samsungエレクトロニクスのメモリ・ビジネスの社長ジン・ヨンジン氏はこう語っています。

“By developing innovative technologies in DRAM circuit design and process, we have broken through what has been a major barrier for DRAM scalability,”

DRAMの回路設計とプロセスについての革新的な技術を開発することで、DRAMのスケーラビリティの大きな障壁となっていたものを壊しました。

“Through a rapid ramp-up of the 2nd-generation 10nm-class DRAM, we will expand our overall 10nm-class DRAM production more aggressively, in order to accommodate strong market demand and continue to strengthen our business competitiveness.”

第2世代の10nm級DRAMの急速な普及により、旺盛な市場需要に対応し、事業競争力を強化し続けるために、10nmクラスのDRAM生産をより積極的に拡大します。

DDR4メモリ・モジュールが安くなる日が待ち遠しいですね。

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ソース

https://news.samsung.com/global/samsung-now-mass-producing-industrys-first-2nd-generation-10-nanometer-class-dram?utm_source=mainkv&utm_medium=internal

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