SK Hynixが72層3D NANDフラッシュメモリに正式に着手することを発表

SK Hynixは72層3D NANDフラッシュメモリで業界をリードする

SK Hynixが第四世代の3D NANDフラッシュメモリに正式に着手することを発表したようです。第四世代の3D NANDフラッシュメモリは72層となるようで、業界大手のSamsungの3D NAND製品が64層、東芝のアナウンスしている最新モデルが同じく64層であることを考えると、同社が業界をリードする水準の技術力を備えていることが分かります。

256G bitの3D NANDフラッシュの製造に着手するようですが、同社の第四世代3D NANDの容量は最大で512G bit(64G byte)となるようです。

667MT/s,800MT/sのデータレートに対応か

第四世代の72層3D NANDチップは、NANDフラッシュの最新規格であるToggle DDR 2.0規格に対応しており、667MT/s,800MT/sのデータレートに対応するようです。SK Hynixはinternal operation speed(内部動作速度)で呼ぶため、この数値は元の転送レートの2倍となっていますが、最新の3D NANDと同等の規格です。また、ブロックサイズは第三世代の9MBから13.5MBに増大し、ベージ・プログラミングの時間が短縮されることが期待できます。非常に競争力のある性能の3D NANDフラッシュだと言えるのでは無いでしょうか。

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ソース

http://www.anandtech.com/show/11267/sk-hynix-announces-72layer-256-gb-3d-tlc-nand-chips

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